一種制備抗硫化厚膜晶片電阻的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111247237.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113972045A | 公開（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113972045A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
| 分類號(hào) | H01C17/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 賈碧溪;帥曉晴;田空圣;朱其樂;李國武;洪志斌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江西昶龍科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南昌中擎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳海濤 |
| 地址 | 332000江西省九江市柴桑區(qū)沙城工業(yè)園（九江慶輝實(shí)業(yè)有限公司內(nèi)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種制備抗硫化厚膜晶片電阻的方法，涉及厚膜晶片電阻領(lǐng)域，方法具體為：預(yù)先在絕緣板上涂覆一層三防漆，制得基板，將抗硫化導(dǎo)電漿料和電阻漿料通過掩膜涂覆在基板上，再經(jīng)燒結(jié)在基板上形成電極層和電阻層，繼續(xù)在電極層和電阻層之間涂覆保護(hù)涂料，干燥形成包覆層，制得晶片電阻；所述保護(hù)涂料包括以質(zhì)量份數(shù)計(jì)的原料：灌封硅膠40?89份、改性導(dǎo)熱填料5?20份和阻燃劑1?20份；所述改性導(dǎo)熱填料為小粒徑導(dǎo)熱填料與大粒徑導(dǎo)熱填料組成。本發(fā)明通過預(yù)先在絕緣板上涂覆一層三防漆，能夠防止在高溫高濕、電場力的作用下的銀遷移，避免線路之間短路。 |
