感應耦合等離子體深層刻蝕機

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02267105.6 申請日 -
公開（公告）號 CN2569339Y 公開（公告）日 2003-08-27
申請公布號 CN2569339Y 申請公布日 2003-08-27
分類號 H01L21/3065;B81C5/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳紹金;陳元棣 申請（專利權）人 上?；窘洕l(fā)展總公司
代理機構 上海浦東良風專利代理有限責任公司 代理人 陳志良
地址 201204上海市浦東新區(qū)牡丹路185號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型為一種感應耦合等離子體深層刻蝕機，包括主機、射頻電源柜、電控柜、計算機及操作臺，其特征在于：主機結構核心部件等離子體源，它是由平面變距螺旋形電感線圈與石英介質窗組成一體，當中填充石英粉末和環(huán)氧樹脂，放置在源的頂部，頂面還有真空室壁，耦合效率高，等離體密度均勻性好，工作壓強降到0.06Pa，仍有很高的離化效率，石英介質窗下面安裝環(huán)形氣體流量分配器和高密度等離子體工作室，工作室為圓桶形結構，側壁為接插式結構，工作室壁周圍布有多極場磁鐵和極靴組成的多極磁場，通循環(huán)水冷卻的工件臺置于工作室下游，工件臺面上安裝被加工的晶片，主要用于加工微型機電系統(tǒng)器件，刻蝕有效直徑6英寸，具有刻蝕速度快、選擇性好、刻蝕均勻，線條邊壁陡直，深寬比高，完全滿足加工微型機電系統(tǒng)器件的刻蝕工藝需要。