坩堝蓋和坩堝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201721136202.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN207659559U 公開（公告）日 2018-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN207659559U 申請(qǐng)公布日 2018-07-27
分類號(hào) C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張巖;樊本杰;趙然;曹祐銘;趙子強(qiáng);馮恒毅;馬鵬翔;陳鵬磊;孫建;韓江山;陳菲菲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海大革智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中科鋼研節(jié)能科技有限公司;上海大革智能科技有限公司
地址 100081 北京市海淀區(qū)氣象路9號(hào)院8號(hào)樓4層418
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及碳化硅長晶領(lǐng)域，公開了一種坩堝蓋和坩堝，該坩堝蓋包括坩堝蓋本體(1)和籽晶托(2)，所述坩堝蓋本體(1)與所述籽晶托(2)活動(dòng)連接，所述坩堝蓋本體(1)暴露于坩堝內(nèi)腔的部分的表面設(shè)置有TaC涂層(3)。本實(shí)用新型的坩堝蓋暴露于坩堝內(nèi)腔的部分的表面設(shè)置有TaC涂層，可以防止硅腐蝕，并且，坩堝蓋本體與籽晶托是可分離的，長晶結(jié)束后，可取下籽晶托，更換新的籽晶，達(dá)到坩堝蓋的重復(fù)使用。