坩堝蓋和坩堝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201721136237.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN207659560U 公開(kāi)（公告）日 2018-07-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN207659560U 申請(qǐng)公布日 2018-07-27
分類號(hào) C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 張巖;韓江山;趙然;曹祐銘;趙子強(qiáng);馮恒毅;馬鵬翔;陳鵬磊;孫建;樊本杰;陳菲菲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海大革智能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中科鋼研節(jié)能科技有限公司;上海大革智能科技有限公司
地址 100081 北京市海淀區(qū)氣象路9號(hào)院8號(hào)樓4層418
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及碳化硅長(zhǎng)晶領(lǐng)域，公開(kāi)了一種坩堝蓋和坩堝，所述坩堝蓋的上表面形成有凹槽(1)，所述凹槽(1)內(nèi)可拆卸地設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)溫度調(diào)節(jié)片(2)，所述溫度調(diào)節(jié)片(2)上形成有貫穿上下表面的通孔(3)。本實(shí)用新型中，僅僅通過(guò)調(diào)節(jié)坩堝蓋的凹槽中的溫度調(diào)節(jié)片的數(shù)量，達(dá)到靈活調(diào)節(jié)熱場(chǎng)的溫度梯度，大大節(jié)約了生長(zhǎng)碳化硅的成本。