高耐壓半導(dǎo)體分立器件芯片二次腐蝕臺(tái)面工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611183968.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106783576A 公開（公告）日 2017-05-31
申請公布號 CN106783576A 申請公布日 2017-05-31
分類號 H01L21/306(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇舟;徐敏麗;高廣亮;劉帥;陳浩 申請（專利權(quán)）人 錦州遼晶電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 錦州遼西專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 錦州遼晶電子科技有限公司
地址 121000 遼寧省錦州市古塔區(qū)人民街五段10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高耐壓半導(dǎo)體分立器件芯片二次腐蝕臺(tái)面工藝，其步驟如下：在表面具有氧化層的硅片表面進(jìn)行一次腐蝕，一次腐蝕深度為75～85μm；經(jīng)一次腐蝕V型槽的硅片，經(jīng)過光刻掩膜，再對一次腐蝕V型槽進(jìn)行二次腐蝕，二次腐蝕深度為7～10μm，且二次腐蝕臺(tái)面寬度大于一次腐蝕臺(tái)面寬度；兩次臺(tái)面腐蝕結(jié)束之后，進(jìn)行玻璃鈍化。經(jīng)過二次腐蝕臺(tái)面，去除了因硅與二氧化硅腐蝕速率不同而在硅片接近表面處造成的小角度臺(tái)階,槽內(nèi)填充玻璃粉熔凝鈍化工藝在硅片表面與V型槽臺(tái)面銜接處形成物理緩沖區(qū)，加大玻璃粉與腐蝕臺(tái)面的接觸面積，增加接觸能力，提高介電強(qiáng)度，減小表面漏電，從而保證了高耐壓半導(dǎo)體分立器件芯片優(yōu)良的高溫、高壓性能和高可靠性。