一種磷化銦單晶的生長裝置及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110870551.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113774489A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113774489A 申請公布日 2021-12-10
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B13/14（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I;C30B13/32（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 龐昊;謝雨凌 申請（專利權(quán)）人 合肥天曜新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳桑
地址 230000安徽省合肥市經(jīng)開區(qū)芙蓉路合肥海恒投資控股集團公司3#-B廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種磷化銦單晶的生長裝置，包括固定加熱器、移動加熱器、晶體生長容器和電磁攪拌裝置，所述移動加熱器和電磁攪拌裝置可在晶體生長容器外移動。本發(fā)明還提供一種磷化銦單晶的生長方法，通過將原料放入到晶體生長容器中并加熱到750℃，然后通過移動加熱器加熱到1075℃，移動移動加熱器和電磁攪拌裝置至其鉛垂面離開晶體生長容器，保溫并待爐溫降至室溫。本發(fā)明降低了Si污染，制得的單晶純度高；采用移動加熱器的方法，避免移動晶體生長容器可能引起的振動，能有效提高單晶率；通過雙加熱器的相對移動實現(xiàn)溫場的移動，溫場控制相對簡單，控溫精度容錯率高，便于維護和校準。