一種生長(zhǎng)CZT單晶錠的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110453520.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113512762A 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113512762A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) C30B29/48（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;C04B41/85（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 龐昊;謝雨凌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥天曜新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥正則元起專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉勇
地址 230000安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)芙蓉路北芙蓉路合肥海恒投資控股集團(tuán)公司3#-B廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種生長(zhǎng)CZT單晶錠的方法，屬于半導(dǎo)體材料制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，該種生長(zhǎng)CZT單晶錠的方法，包括以下步驟：步驟A、將無(wú)定形無(wú)定形三氧化二硼和微米級(jí)石墨粉質(zhì)量比混合形成混合漿料；步驟B、將混合漿料以刷漿法或脈沖電弧放電沉積法均勻涂覆在熱解氮化硼坩堝內(nèi)壁上；步驟C、將碲化鋅多晶體合成料置于熱解氮化硼坩堝內(nèi)放肩區(qū)，并在籽晶區(qū)放入籽晶，然后將熱解氮化硼坩堝放入石英容器內(nèi)，加熱熔融、冷卻、CZT單晶錠生長(zhǎng)，生長(zhǎng)完成后獲得一種CZT單晶錠。且本發(fā)明將無(wú)定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合漿料涂覆在熱解氮化硼坩堝內(nèi)壁上，使得生長(zhǎng)平面和切割面的夾角小于4°，減小CZT襯底片上不同區(qū)域的Zn元素含量波動(dòng)。