一種間接分析高低硬度bump晶格表現(xiàn)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111184095.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113921415A 公開（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113921415A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳恒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥新匯成微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥輝達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張麗園
地址 230000安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種間接分析高低硬度bump晶格表現(xiàn)的方法，所述間接分析高低硬度bump晶格表現(xiàn)的方法，包括以下步驟：S1：使用硬物質(zhì)，采用同等克度的力量，按壓金凸塊表面；S2：對(duì)金凸塊按壓區(qū)域切片；S3：切片后的金凸塊使用SEM電子顯微鏡觀察；S4：觀察金屬晶格排序，其中軟硬度金凸塊晶格的排列相對(duì)于高硬度金凸塊晶格排列更加發(fā)散。本發(fā)明提供的間接分析高低硬度bump晶格表現(xiàn)的方法具有使用該分析方法可以檢驗(yàn)分析出金凸塊軟硬異常，結(jié)合金凸塊制程工藝，可協(xié)助改善軟硬金凸塊問題。