一種高壓供電的PTAT基準(zhǔn)電流源電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010837632.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111796623B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN111796623B 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類(lèi)號(hào) G05F1/56 分類(lèi) 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 石峰;連穎;任俊;黃亮 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京新雷能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 102200 北京市昌平區(qū)科技園區(qū)雙營(yíng)中路139號(hào)院1號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓供電的PTAT基準(zhǔn)電流源電路，包括電流吸收模塊和PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊，PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊通過(guò)PNP型三極管鉗位將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換成與絕對(duì)溫度成正比的基準(zhǔn)電流輸出，采用LDMOS管替換傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的普通MOS管，使得本發(fā)明能夠適應(yīng)高壓供電；針對(duì)普通MOS替換成LDMOS管導(dǎo)致的由于管子寄生電容變大、輸入電壓的dv/dt噪聲更容易串?dāng)_到第四NMOS管柵極而影響輸出基準(zhǔn)電流的問(wèn)題，以及LDMOS管柵源電容更大導(dǎo)致開(kāi)啟速度更慢的問(wèn)題，本發(fā)明還設(shè)計(jì)了LDMOS分壓電流鏡與電容噪聲濾波結(jié)構(gòu)，不僅能夠承受高電壓而且減輕了dv/dt噪聲的影響，同時(shí)利用電流吸收模塊抽取PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的電流，加快了基準(zhǔn)電流建立穩(wěn)定狀態(tài)的速度。