一種高壓供電的PTAT基準(zhǔn)電流源電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010837632.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111796623A 公開（公告）日 2020-10-20
申請公布號 CN111796623A 申請公布日 2020-10-20
分類號 G05F1/56(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 石峰;連穎;任俊;黃亮 申請（專利權(quán)）人 北京新雷能科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京新雷能科技股份有限公司
地址 102200北京市昌平區(qū)科技園區(qū)雙營中路139號院1號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓供電的PTAT基準(zhǔn)電流源電路，包括電流吸收模塊和PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊，PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊通過PNP型三極管鉗位將溫度信號轉(zhuǎn)換成與絕對溫度成正比的基準(zhǔn)電流輸出，采用LDMOS管替換傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的普通MOS管，使得本發(fā)明能夠適應(yīng)高壓供電；針對普通MOS替換成LDMOS管導(dǎo)致的由于管子寄生電容變大、輸入電壓的dv/dt噪聲更容易串?dāng)_到第四NMOS管柵極而影響輸出基準(zhǔn)電流的問題，以及LDMOS管柵源電容更大導(dǎo)致開啟速度更慢的問題，本發(fā)明還設(shè)計(jì)了LDMOS分壓電流鏡與電容噪聲濾波結(jié)構(gòu)，不僅能夠承受高電壓而且減輕了dv/dt噪聲的影響，同時利用電流吸收模塊抽取PTAT基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的電流，加快了基準(zhǔn)電流建立穩(wěn)定狀態(tài)的速度。??