一種提高BV穩(wěn)定性的SGT終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210030400.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114068331A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068331A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L23/64（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李加洋;陶瑞龍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權(quán)）人 南京華瑞微集成電路有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞華騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 錢麗
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦濱大道88號科創(chuàng)廣場3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高BV穩(wěn)定性的SGT終端結(jié)構(gòu)及其制備方法。該方法包括在所述柵氧化層的上側(cè)淀積形成第二導(dǎo)電類型的多晶硅，然后對所述多晶硅進行刻蝕操作，對所述體區(qū)內(nèi)以及柵氧化層上側(cè)經(jīng)過刻蝕保留的多晶硅的內(nèi)端部執(zhí)行第一導(dǎo)電類型元素注入和退火操作，以制作形成設(shè)置在有源區(qū)的體區(qū)內(nèi)的第一阱區(qū)、設(shè)置在終端區(qū)的體區(qū)外端的第二阱區(qū)、以及設(shè)置在所述柵氧化層上側(cè)的二極管和電阻，所述二極管的外端與電阻的內(nèi)端連接。本發(fā)明通過在終端溝槽內(nèi)增加偏置電壓的方式，減小雪崩擊穿時的氧化層界面空穴缺陷密度，從而有效改善BV walk?in和walk?out的問題，從而提高BV的穩(wěn)定性，增加器件的可靠性。