一種解決電阻非線性的智能功率MOS管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210007421.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114023702A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114023702A 申請公布日 2022-02-08
分類號 H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何軍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權(quán)）人 南京華瑞微集成電路有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞華騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐沖沖
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦濱大道88號科創(chuàng)廣場3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種解決電阻非線性的智能功率MOS管的制造方法。該方法包括在體區(qū)的上側(cè)制作源區(qū)注入所需的第一光刻膠層，然后依次進行第一導(dǎo)電類型的元素注入和推阱操作，以在體區(qū)內(nèi)制作形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)，同時對主MOS管多晶硅柵、啟動MOS管多晶硅柵和電阻RDG2a進行摻雜，使得主MOS管多晶硅柵、啟動MOS管多晶硅柵和電阻RDG2a變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型摻雜。本發(fā)明通過Poly注入工藝的調(diào)整、修改NSD版圖設(shè)計，并增加一張PSD版圖設(shè)計的方式，使得RDG2a與RDG2b均為N型摻雜，因此RDG2a與RDG2b之間產(chǎn)生的非必要的PN消失，使得低電壓下的電阻非線性問題得以解決。