集成鰭式SBD結(jié)構(gòu)的溝槽柵MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111496378.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113921400A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113921400A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-11 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李加洋;吳磊;胡興正;薛璐;劉海波 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京華瑞微集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京瑞華騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 錢(qián)麗 |
| 地址 | 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦濱大道88號(hào)科創(chuàng)廣場(chǎng)3號(hào)樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種集成鰭式SBD結(jié)構(gòu)的溝槽柵MOSFET及其制造方法。該方法包括在外延層的上側(cè)刻蝕形成外露于外延層上側(cè)的SBD接觸臺(tái)，在SBD接觸臺(tái)兩側(cè)的外延層上側(cè)淀積形成介質(zhì)層，并在介質(zhì)層上刻蝕形成金屬淀積區(qū)；在第一阱區(qū)和第二阱區(qū)的上側(cè)制作形成歐姆接觸區(qū)，同時(shí)在SBD接觸臺(tái)的上側(cè)及兩側(cè)制作形成SBD接觸區(qū)，SBD接觸區(qū)與SBD接觸臺(tái)配合形成鰭式SBD結(jié)構(gòu)。本發(fā)通過(guò)SBD接觸臺(tái)與SBD接觸區(qū)配合形成的鰭式SBD結(jié)構(gòu)來(lái)提高器件的反向恢復(fù)速度，降低反向恢復(fù)時(shí)間Trr，并使SBD接觸區(qū)由平面結(jié)構(gòu)升級(jí)為三維立體結(jié)構(gòu)，大輻增加接觸面積，從而在Trr相同時(shí)，占用的芯片面積更小。 |
