一種半導體器件及其制作方法、高精度過溫保護電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210419414.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114520144A 公開（公告）日 2022-05-20
申請公布號 CN114520144A 申請公布日 2022-05-20
分類號 H01L21/265（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何軍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權）人 南京華瑞微集成電路有限公司
代理機構 南京瑞華騰知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)浦濱大道88號科創(chuàng)廣場3號樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導體器件及其制作方法、高精度過溫保護電路。該方法包括在襯底的上側制作外延層；通過Ring注入操作和Ring推阱操作將外延層劃分出終端區(qū)、主MOS元胞區(qū)、二極管區(qū)以及設置在主MOS元胞區(qū)與二極管區(qū)之間的隔離區(qū)；對未被多晶硅阻擋的主MOS元胞區(qū)和二極管區(qū)依次進行第二導電類型元素的注入和退火操作，以在二極管區(qū)內制作出二極管的陽極，所述二極管的陽極與其下側的外延層和襯底配合形成二極管結構。本發(fā)明可使過溫保護監(jiān)測精度更高，客戶可根據(jù)自身需求進行定制化設計；可使過溫保護靈敏度更高；過溫保護監(jiān)測電路的可靠性更優(yōu)；集成度更高，成本更低，更適合輕型化、小型化發(fā)展方向。