一種通過(guò)多晶硅條提高可靠性的MOS器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111400657.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114141859A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN114141859A 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡興正;錢(qián)康;何軍;薛璐;劉海波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京華瑞微集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞華騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 錢(qián)麗
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦濱大道88號(hào)科創(chuàng)廣場(chǎng)3號(hào)樓5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)多晶硅條提高可靠性的MOS器件及其制造方法。該方法包括在有源區(qū)內(nèi)的外延層上側(cè)長(zhǎng)柵氧化層，并在所述柵氧化層和場(chǎng)氧層的上側(cè)沉積多晶硅，采用第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)對(duì)所述多晶硅進(jìn)行摻雜，然后對(duì)摻雜后的多晶硅進(jìn)行刻蝕操作，以形成設(shè)置在柵氧化層上側(cè)的多晶柵和多個(gè)間隔設(shè)置在場(chǎng)氧層上側(cè)的多晶硅條。本發(fā)明通過(guò)在普通高壓超結(jié)的終端區(qū)增加等距多晶硅條，幾乎不增加制造成本且可以提高器件的高溫工作壽命；提高芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫、高壓密閉空間內(nèi)的抗腐蝕能力，增加器件的使用壽命和可靠性。