一種釹鐵硼永磁器件的處理方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010161341.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111334767A | 公開（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111334767A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號(hào) | C23C14/35(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 段永利;孫昊天 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 沈陽中北通磁科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 110168遼寧省沈陽市渾南區(qū)匯泉東路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種釹鐵硼永磁器件的處理方法。將裝有釹鐵硼永磁器件的承載裝置送入帶有進(jìn)料室和出料室的真空鍍膜設(shè)備的鍍膜室內(nèi)，鍍膜室內(nèi)的輥道上方設(shè)置有濺射裝置，濺射裝置為3臺(tái)以上，濺射裝置至少包括離子源、多弧靶、磁控濺射靶和射頻濺射靶中的2種以上。多弧靶、磁控濺射靶和射頻濺射靶上包含靶材，靶材表面到在鍍膜室內(nèi)進(jìn)行涂層的釹鐵硼永磁器件表面的空間垂直距離在30?200mm范圍內(nèi)，靶材的一部分從靶材表面濺射出來沉積到經(jīng)過鍍膜室內(nèi)的承載裝置上的釹鐵硼永磁器件表面形成涂層，靶材至少為選自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一種以上。沉積在釹鐵硼永磁器件表面形成涂層的靶材占靶材總消耗量的70%以上。?? |
