一種物理除硼制備多晶硅的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201010286555.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN101955186A | 公開(公告)日 | 2011-01-26 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN101955186A | 申請(qǐng)公布日 | 2011-01-26 |
分類號(hào) | C01B33/037(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 蘇文華;李勝路 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江西盛豐新能源科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 331100 江西省豐城市工業(yè)園豐源七路1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種硅中硼元素的去除方法,包括以下步驟:(1)選用優(yōu)質(zhì)硅,一般以2202品質(zhì)硅為準(zhǔn)(2)稱取一定量的硅加入到精煉爐中,精煉(3)將精煉爐送電加熱到使硅全融化狀態(tài)(4)按照堿性造渣劑與硅總重比為1∶1~1∶5的比例配置稱量好堿性造渣劑;(5)將配置稱重好的堿性造渣劑平分10等份,分10次加入到精煉爐中,每次熔煉一小時(shí)再濾去表面渣液,反復(fù)加劑熔煉濾渣10次;(6)準(zhǔn)備好帶有微孔過濾裝置的定向澆鑄容器,將硅液通過微孔過濾裝置澆注到定向容器中進(jìn)行定向冷卻,檢測(cè)硼的含量小于0.4PPm,制得低硼高純度硅。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)便、能耗低、無污染排放。 |
