基于硅量子點薄膜的可飽和吸收器件及其在光纖脈沖激光器中的應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610983861.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106374332A 公開（公告）日 2017-02-01
申請公布號 CN106374332A 申請公布日 2017-02-01
分類號 H01S3/11(2006.01)I;H01S3/108(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高延祥;姜喆 申請（專利權）人 南京諾派激光技術有限公司
代理機構 南京理工大學專利中心 代理人 南京諾派激光技術有限公司
地址 210000 江蘇省南京市江寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)勝太路68號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于硅量子點薄膜的可飽和吸收器件及其在光纖脈沖激光器中的應用。將具有高三階非線性系數(shù)的硅量子點制成薄膜或者摻雜到基質中形成復合薄膜，并將該薄膜置于具有特定模場參數(shù)的單模或者多模光纖之間，利用薄膜的自聚焦特性，該器件可對不同強度的輸入光產(chǎn)生不同的透射率、并將該吸收器件應用于光纖脈沖激光器中，實現(xiàn)了調Q和鎖模脈沖的方法。本發(fā)明的可飽和吸收器件具有很低的插入損耗、可調控的非線性吸收參數(shù)，工作波長可覆蓋可見光?近紅外波段，可提高激光器的參數(shù)優(yōu)化范圍，從而實現(xiàn)具有優(yōu)化性能的激光脈沖輸出；可應用于光通信、光探測、生物醫(yī)療成像、測距和傳感等領域。