閃存芯片可靠性等級預(yù)測方法、裝置及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110066138.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112817525A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112817525A 申請公布日 2021-05-18
分類號 G06F3/06;G11C29/56 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 陳卓;張浩明;潘玉茜;劉政林 申請（專利權(quán)）人 置富科技（深圳）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中強(qiáng)智尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃耀威
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道吉華路龍璧工業(yè)城13#2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種閃存芯片可靠性等級預(yù)測方法、裝置及存儲介質(zhì)。其中方法包括：對待預(yù)測閃存芯片進(jìn)行閃存操作，并在閃存操作過程中采集待預(yù)測閃存芯片的至少一種特征量；對待預(yù)測閃存芯片的至少一種特征量進(jìn)行運(yùn)算操作，得到待預(yù)測閃存芯片的特征運(yùn)算值，依據(jù)待預(yù)測閃存芯片的特征量和待預(yù)測閃存芯片的特征運(yùn)算值，建構(gòu)待預(yù)測閃存芯片的數(shù)據(jù)集合；將待預(yù)測閃存芯片的數(shù)據(jù)集合中的第一子集輸入到第一閃存可靠性等級預(yù)測模型的優(yōu)化程序中，并對第一閃存可靠性等級預(yù)測模型進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，得到第二閃存可靠性等級預(yù)測模型；將待預(yù)測閃存芯片數(shù)據(jù)集合中的第二子集輸入到第二閃存可靠性等級預(yù)測模型中，得到待預(yù)測閃存芯片的可靠性等級的第一預(yù)測結(jié)果。上述方法可以提高閃存芯片可靠性等級的預(yù)測準(zhǔn)確度。