一種方硅芯鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011132224.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112176407A 公開（公告）日 2021-01-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112176407A 申請(qǐng)公布日 2021-01-05
分類號(hào) C30B28/06;C30B29/06 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;李振;徐養(yǎng)毅;張國華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州昀豐半導(dǎo)體裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州潤桐嘉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐鳴
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市楊舍鎮(zhèn)華昌路沙洲湖科創(chuàng)園A1棟（昀豐）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種方硅芯鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及制備方法，主要以解決熱場(chǎng)溫度分布不均勻，生長(zhǎng)出的晶體易開裂的問題。包括：爐體，所述爐體分為上爐體與下爐體；隔熱層，所述隔熱層設(shè)置在所述爐體中；立柱，所述立柱固定在所述下爐體上；熱交換臺(tái)，所述熱交換臺(tái)固定在所述立柱上；隔熱板，所述隔熱板設(shè)置在所述隔熱層的底部，所述立柱穿過所述隔熱板，所述隔熱板能夠在所述立柱上升降。本發(fā)明獲得了熱場(chǎng)穩(wěn)定、利于晶體生長(zhǎng)、能耗降低的優(yōu)點(diǎn)。