砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111205743.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113945442A | 公開（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113945442A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-18 |
| 分類號(hào) | G01N1/32（2006.01）I;G01N21/95（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 王仁洲;鄭朝暉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海季豐電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 劉建榮 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)祖沖之路1505弄55號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用，涉及砷化鎵芯片技術(shù)領(lǐng)域。該砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法，采用特定原料組成以及配比的液體混合物與砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行反應(yīng)，并通過(guò)控制反應(yīng)的時(shí)間以及溫度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中塑封體以及基底的完全去除，同時(shí)也不會(huì)對(duì)晶粒產(chǎn)生損傷，實(shí)現(xiàn)晶粒的完整提取。本發(fā)明提供了上述砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法的應(yīng)用，鑒于上述方法所具有的優(yōu)勢(shì)，使得所提取的晶粒不會(huì)受到腐蝕以及損傷，保證了晶粒的完整，為研究砷化鎵芯片的失效分析提供了前提條件。本發(fā)明還提供一種砷化鎵芯片的失效分析方法。 |
