一種III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610292147.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107346725B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107346725B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳龍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海芯晨科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 余明偉 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)平城路811號(hào)422室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：S1：提供一自下而上依次包括硅襯底、絕緣埋層及頂層硅的SOI襯底；S2：在所述頂層硅表面依次形成III族氮化物薄膜及絕緣帽層；S3：進(jìn)行離子注入，在所述頂層硅中形成離子注入層；S4：提供一基片，將所述基片鍵合于所述絕緣帽層表面，得到鍵合結(jié)構(gòu)；S5：進(jìn)行退火，使得所述鍵合結(jié)構(gòu)自所述頂層硅處剝離，得到自下而上依次包括基片、絕緣帽層及III族氮化物薄膜的疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可實(shí)現(xiàn)大尺寸的III族氮化物薄膜轉(zhuǎn)移，并可以得到光滑、高質(zhì)量的III族氮化物薄膜表面。同時(shí)，本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可廣泛應(yīng)用于材料制備階段。?? |
