一種III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610283432.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107331663B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107331663B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L27/04（2006.01）I;H01L21/70（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800上海市嘉定區(qū)平城路811號(hào)422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制作方法，所述III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底包括：硅襯底；形成于所述硅襯底上的III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；形成于所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)上的絕緣層；以及形成于所述絕緣層上的頂層硅。本發(fā)明的III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制作方法將所述頂層硅與所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，其中，所述硅基疊層結(jié)構(gòu)可以用于制作傳統(tǒng)電路，結(jié)合所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用，為實(shí)現(xiàn)“超越摩爾定律”提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)。本發(fā)明的III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底中，III族氮化物材料深埋在底部，僅頂層硅及硅襯底面暴露在外面，不會(huì)對(duì)CMOS工藝造成污染，可以使用CMOS工藝線進(jìn)行流片。