一種CMOS工藝兼容的環(huán)境光傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610274649.1 申請日 -
公開（公告）號 CN107331673B 公開（公告）日 2020-03-24
申請公布號 CN107331673B 申請公布日 2020-03-24
分類號 H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李成 申請（專利權）人 上海芯晨科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)平城路811號422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種CMOS工藝兼容的環(huán)境光傳感器及其制備方法，包括：提供一襯底，在所述襯底上形成外延層；在所述外延層中進行摻雜，以形成光敏二極管；將光敏二極管分為相間分布的兩組，在其中一組光敏二極管上形成金屬層。本技術發(fā)明采用兩顆或者兩組硅光敏二極管，其中一組硅光敏二極管具有正常的響應，即在可見光和紅外光都有響應；另外一組二極管通過特殊的設計，使其只響應紅外光線，而可見光的響應要小很多。兩組硅光敏二極管之間的這種差異，可通過后續(xù)信號處理電路提取出來，結合軟件算法便可實現(xiàn)環(huán)境光的感測。本發(fā)明無需額外鍍膜工藝，完全兼容各種尺寸類型的CMOS工藝，大大簡化制備工藝，提到檢測精度。