一種III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610292147.1 申請日 -
公開（公告）號 CN107346725A 公開（公告）日 2017-11-14
申請公布號 CN107346725A 申請公布日 2017-11-14
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍 申請（專利權(quán)）人 上海芯晨科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)平城路811號422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：S1：提供一自下而上依次包括硅襯底、絕緣埋層及頂層硅的SOI襯底；S2：在所述頂層硅表面依次形成III族氮化物薄膜及絕緣帽層；S3：進行離子注入，在所述頂層硅中形成離子注入層；S4：提供一基片，將所述基片鍵合于所述絕緣帽層表面，得到鍵合結(jié)構(gòu)；S5：進行退火，使得所述鍵合結(jié)構(gòu)自所述頂層硅處剝離，得到自下而上依次包括基片、絕緣帽層及III族氮化物薄膜的疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可實現(xiàn)大尺寸的III族氮化物薄膜轉(zhuǎn)移，并可以得到光滑、高質(zhì)量的III族氮化物薄膜表面。同時，本發(fā)明的III族氮化物薄膜的剝離轉(zhuǎn)移方法可廣泛應(yīng)用于材料制備階段。