一種集成光耦合器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610274007.1 申請日 -
公開（公告）號 CN107331726B 公開（公告）日 2019-08-20
申請公布號 CN107331726B 申請公布日 2019-08-20
分類號 H01L31/173;H01L31/153;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍 申請（專利權(quán)）人 上海芯晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)平城路811號422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背襯底；形成于所述背襯底上的埋氧層；形成于所述埋氧層上的頂層硅；所述頂層硅包括分立設(shè)置的第一硅島及第二硅島；形成于所述第一硅島上的光發(fā)射器；形成于所述第二硅島中的光接收器。本發(fā)明的集成光耦合器件及其制造方法可以實現(xiàn)光發(fā)射器與光接收器集成于同一絕緣襯底上，減少了器件在封裝中的接合線，降低了噪聲信號。同時，集成光耦合器件器件尺寸極小，甚至可用于芯片內(nèi)電學(xué)隔離，也免去了封裝的光學(xué)對準(zhǔn)，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。