一種大尺寸硅襯底III族氮化物外延生長方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610293366.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107346728A 公開（公告）日 2017-11-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN107346728A 申請(qǐng)公布日 2017-11-14
分類號(hào) H01L21/205(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)平城路811號(hào)422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種大尺寸硅襯底III族氮化物外延生長方法，包括如下步驟：提供一硅襯底；將所述硅襯底放入反應(yīng)腔體內(nèi)，并使得所述硅襯底與水平面呈預(yù)設(shè)角度；所述預(yù)設(shè)角度大于0°；在所述硅襯底正反兩面同時(shí)外延生長III族氮化物薄膜。本發(fā)明的大尺寸硅襯底III族氮化物外延生長方法針對(duì)現(xiàn)有大尺寸硅襯底上GaN外延面臨的巨大熱膨脹系數(shù)失配的問題，提出一種內(nèi)在應(yīng)力平衡的雙面外延的方法，可以實(shí)現(xiàn)任意大尺寸硅襯底上III族氮化物的高質(zhì)量外延生長，無論在III族氮化物的外延過程還是降溫過程，硅襯底能夠始終保持平整，從而徹底解決了熱失配及晶格失配引起的晶圓翹曲問題。而且，一次生長就可以獲得兩個(gè)面的材料，可以大幅提高生產(chǎn)效率。