一種III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610283863.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107342215B 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107342215B 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800上海市嘉定區(qū)平城路811號(hào)422室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法，所述III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底包括：硅襯底；形成于所述硅襯底第一預(yù)設(shè)區(qū)域表面的III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)；形成于所述硅襯底第二預(yù)設(shè)區(qū)域表面的硅基疊層結(jié)構(gòu)；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)自下而上依次包括第一絕緣層、硅層、第二絕緣層；所述硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)之間通過隔離結(jié)構(gòu)隔離；覆蓋于所述硅基疊層結(jié)構(gòu)及所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)表面的蓋帽層。本發(fā)明的III族氮化物和硅異質(zhì)集成襯底及其制造方法將硅基疊層結(jié)構(gòu)與所述III族氮化物疊層結(jié)構(gòu)集成于同一硅襯底上，所得新型異質(zhì)集成襯底與CMOS兼容，可以為實(shí)現(xiàn)“超越摩爾定律”產(chǎn)品提供重要的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)。