鋁碳化硅熱沉基板及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710091257.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN106987836A | 公開(公告)日 | 2017-07-28 |
申請公布號 | CN106987836A | 申請公布日 | 2017-07-28 |
分類號 | C23C24/08(2006.01)I;C03C8/24(2006.01)I;C03C12/00(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 吳世清 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市如器科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道雪象下雪村牛古嶺8號一棟5樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種鋁碳化硅熱沉基板及其制備方法,其采用低溫玻璃粉和調(diào)油墨組配制漿料,再燒結(jié)于鋁碳化硅襯底上,大幅度降低絕緣層的燒結(jié)溫度至450?550℃,制得的鋁碳化硅熱沉基板具有良好的層間結(jié)合力和絕緣性能,熱膨脹系數(shù)低,厚膜絕緣層的耐熱性良好。 |
