藍(lán)寶石斜切襯底優(yōu)化氧化鎵薄膜生長(zhǎng)及日盲紫外探測(cè)器性能的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910204193.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110061089B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN110061089B 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類號(hào) H01L31/101（2006.01）I;H01L31/0392（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏恒;谷雪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 101300 北京市順義區(qū)順強(qiáng)路1號(hào)1幢1層102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種藍(lán)寶石襯底表面斜切氧化鎵探測(cè)器及其制造方法，以及氧化鎵薄膜的制造方法。所述的探測(cè)器包括依次疊置的襯底、氧化鎵薄膜和電極，其中氧化鎵薄膜為β?Ga2O3薄膜，襯底為Al2O3襯底。通過(guò)對(duì)Al2O3襯底進(jìn)行不同角度斜切處理，能夠增強(qiáng)光電探測(cè)器的性能。本發(fā)明的工藝可控性強(qiáng)、容易操作。本發(fā)明制得的氧化鎵薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一，適于大面積制備、且復(fù)性好。本發(fā)明制得的光電探測(cè)器響應(yīng)度高、暗電流小、紫外可見(jiàn)抑制比高、制造工藝簡(jiǎn)單，且所用材料容易獲得。