一種氧化鎵晶片CMP后的清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010997736.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112474550A 公開（公告）日 2021-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN112474550A 申請(qǐng)公布日 2021-03-12
分類號(hào) B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/02;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60 分類 清潔;
發(fā)明人 陳政委;趙德剛;范欽明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 侯巍巍
地址 101300 北京市順義區(qū)順強(qiáng)路1號(hào)1幢1層102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氧化鎵晶片CMP后的清洗方法。其方法為：S1、用包含硫酸、雙氧水和去離子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化鎵晶片，然后用去離子水清洗；S2、用包含氨水、雙氧水和去離子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化鎵晶片，然后用去離子水清洗；S3、用包含氫氟酸和去離子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化鎵晶片，然后用去離子水清洗；S4、用包含鹽酸、雙氧水和去離子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化鎵晶片，然后用去離子水清洗；S5、在超聲功率為150?300w的環(huán)境下超聲清洗S4清洗后的氧化鎵晶片。