鎵酸鑭薄膜及其制造方法及相應(yīng)的鎵酸鑭薄膜光電探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811121315.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109449239B 公開（公告）日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN109449239B 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) H01L31/108;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 谷雪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 喬?hào)|峰;樊錦標(biāo)
地址 101300 北京市順義區(qū)順強(qiáng)路1號(hào)1幢1層102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種鎵酸鑭薄膜光電探測(cè)器，以及相應(yīng)的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鎵酸鑭薄膜及其制造方法。所述的探測(cè)器包括依次疊置的襯底、鎵酸鑭薄膜和電極，其中鎵酸鑭薄膜為（00l）取向的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)LaGaO3外延薄膜，襯底為L(zhǎng)aAlO3襯底。本發(fā)明的工藝可控性強(qiáng)、容易操作。本發(fā)明制得的鎵酸鑭薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一，適于大面積制備、且重復(fù)性好。本發(fā)明制得的光電探測(cè)器暗電流極小、紫外可見抑制比高、響應(yīng)度高、且制造工藝簡(jiǎn)單。