一種Si基氧化鎵薄膜背柵極日盲紫外光晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810166644.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108470675B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN108470675B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/113（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐為華;崔尉;彭陽科;陳政委;郭道友;吳真平 申請（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機構(gòu) 北京清誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 喬東峰
地址 100088 北京市海淀區(qū)羅莊西里碧興園1號樓2707室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種Si基氧化鎵薄膜背柵極日盲紫外光晶體管及其制備方法，屬于光電探測器及半導(dǎo)體晶體管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的所述的晶體管按層次從下到上依次為：背柵極電極層、襯底層、光敏層和叉指電極層；襯底層使用p?Si/SiO2,在p?Si/SiO2襯底的SiO2層上制備生長氧化鎵薄膜作為光敏層；在氧化鎵薄膜上濺射Au/Ti電極得到叉指電極；再在p?Si/SiO2背面的Si層上濺射上金屬Au薄膜作為背柵極電極。本發(fā)明制備過程簡單，易于跟硅基器件集成；本發(fā)明的制備方法工藝可控性強，易操作，所得薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一、可大面積制備、重復(fù)性好且易于集成。所制備的器件結(jié)構(gòu)可在柵壓的調(diào)控作用下獲得高的日盲紫外光電流增益。