立方尖晶石結(jié)構(gòu)CuGa2O4薄膜的制備方法及相應(yīng)的結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910393812.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109943821B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109943821B 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 郭道友;吳超;賀晨冉;王順利;李培剛;唐為華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 喬?hào)|峰
地址 100088 北京市海淀區(qū)羅莊西里碧興園1號(hào)樓2707室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種立方尖晶石結(jié)構(gòu)CuGa2O4薄膜的制備方法及相應(yīng)的薄膜結(jié)構(gòu)，所述方法包括：通過(guò)磁控濺射法在襯底上生長(zhǎng)摻銅的氧化鎵薄膜；將所述摻銅的氧化鎵薄膜進(jìn)行退火，生成立方尖晶石結(jié)構(gòu)CuGa2O4薄膜。所述摻銅的氧化鎵薄膜中的Cu和Ga的原子比優(yōu)選為在0.09～0.18范圍內(nèi)。退火的溫度控制在750℃～950℃之間。本發(fā)明所制備的立方尖晶石結(jié)構(gòu)CuGa2O4薄膜表面分布均勻，薄膜厚度可控，且制備方法操作簡(jiǎn)單，工藝可控性強(qiáng)，所得薄膜表面致密、厚度穩(wěn)定均一、可大面積制備、重復(fù)性好。