一種通過摻雜鐵降低結(jié)晶溫度的氧化鎵薄膜制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811096587.5 申請日 -
公開（公告）號 CN109411328B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN109411328B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L21/02;C30B23/02;C30B29/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃元琪 申請（專利權(quán)）人 北京鎵族科技有限公司
代理機構(gòu) 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王文君;王文紅
地址 100086 北京市海淀區(qū)中關(guān)村911樓512號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種通過摻雜鐵降低結(jié)晶溫度的氧化鎵薄膜制備方法，使用鐵摻雜的氧化鎵陶瓷靶材，通過激光分子束外延方法，在襯底溫度為425～575℃的生長條件下，制備氧化鎵薄膜。本發(fā)明還提出所述氧化鎵薄膜制備方法制備得到的薄膜。本發(fā)明的有益效果在于：通過摻雜鐵元素，解決了使用激光分子束外延技術(shù)在低溫下制備的β?Ga2O3薄膜不易結(jié)晶的問題。通過鐵元素摻雜，可以有效提高氧化鎵薄膜的絕緣性，以用作氧化鎵基場效應(yīng)晶體管中的柵層結(jié)構(gòu)，提高與溝道層結(jié)構(gòu)的晶格匹配度，減少位錯及界面效應(yīng)，提高器件的性能。本薄膜制備技術(shù)，操作步驟簡單、成本低廉，靶材可重復(fù)性利用率高，制備的薄膜表面均勻、成膜致密、結(jié)晶性好。