硼鎵共摻單晶硅片及其制備方法和太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310140670.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104124292B 公開（公告）日 2016-11-02
申請公布號 CN104124292B 申請公布日 2016-11-02
分類號 H01L31/0288(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊偉強;魏紅軍;馮立軍;曹建民 申請（專利權(quán)）人 河北寧晉松宮半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 李海波
地址 055550 河北省邢臺市寧晉縣晶龍大街267號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硼鎵共摻單晶硅片，在硼鎵共摻單晶硅片中含有硼元素和鎵元素，其中硼元素的濃度為1014~16原子數(shù)/立方厘米，鎵元素的濃度為1013~6×1016原子數(shù)/立方厘米，其降低了單獨硼摻雜引起的硼氧復(fù)合體濃度，還公開了由上述硼鎵共摻單晶硅片制成的硼鎵共摻單晶硅太陽能電池，該電池具有與常規(guī)摻硼持平的轉(zhuǎn)換效率，并且具有較低的LID水平，并進(jìn)一步公開了上述硼鎵共摻單晶硅片及電池的制備方法，該方法工藝簡單，易操作，可規(guī)模化生產(chǎn)，不存在成本升高的問題。