一種用于制備鏑/鋱鍍層的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)和方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910393484.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110055503A | 公開(公告)日 | 2019-07-26 |
申請公布號 | CN110055503A | 申請公布日 | 2019-07-26 |
分類號 | C23C14/35(2006.01)I; C23C14/16(2006.01)I; C23C14/50(2006.01)I; C23C14/58(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 王君 | 申請(專利權(quán))人 | 合肥賚晟科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 合肥市長遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 段曉微 |
地址 | 315000 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道光明路189號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于在稀土永磁體單元上制備鏑/鋱鍍層的磁控濺射鍍膜系統(tǒng),系統(tǒng)使用的磁控濺射源具有管狀結(jié)構(gòu)特點(diǎn),管狀磁控濺射源管壁外側(cè)布置有磁體且內(nèi)部鑲嵌有重稀土靶材,工件架安裝在端蓋上并可沿管狀磁控濺射源軸線轉(zhuǎn)動(dòng);在管狀濺射源內(nèi)部形成鍍膜空間,由于磁控濺射放電和空心陰極放電耦合在一起,等離子體密度高,因此薄膜沉積速率遠(yuǎn)高于常規(guī)磁控濺射,同時(shí)由于管狀結(jié)構(gòu)特點(diǎn),靶材濺出材料主要部分沉積在工件上,另外一部分則重新回到靶材表面,從而具有很高的靶材利用率,同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)工件架上的工件沿管狀源的軸線轉(zhuǎn)動(dòng),均勻接收濺出材料,并形成厚度分布均勻的鏑/鋱鍍層。本發(fā)明還公開了一種用于稀土鍍層的磁控濺射鍍膜方法。 |
