半導(dǎo)體高密度引線框架及其制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110325931.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113113321A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN113113321A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;C25D3/28（2006.01）I;C25D5/34（2006.01）I;C25F1/04（2006.01）I;C23C22/52（2006.01）I;C23C22/82（2006.01）I;C23F1/02（2006.01）I;B05D3/02（2006.01）I;B05D7/14（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周武;劉波 申請（專利權(quán)）人 昆山弗萊吉電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京國坤專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙紅霞
地址 215000江蘇省昆山市玉山鎮(zhèn)錦淞路399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體高密度引線框架及其制造工藝，其中包括預(yù)處理、電鍍、棕化、滾壓、光刻等步驟，制備得到高密度、高精度的半導(dǎo)體引線框架，在制備時本申請首先對銅基板進行表面處理，先將銅基板置于電解液中進行陰極電解除油，以去除銅基板表面油污，保證銅基板表面清潔；接著再置于酸溶液中，該步驟是為了徹底去除銅基板表面的氧化膜；接著對銅基板進行表面活化，保持銅基板的表面活性，使得銅基板與后續(xù)鍍層之間能夠良好結(jié)合，得到預(yù)處理銅基板。本申請光刻后在銅基板表面形成光刻圖案，實際操作時可再進行后續(xù)電鍍金屬層、芯片鍵合等工藝，制備得到的引線框架的表面無刮花、凹痕和污漬，可廣泛應(yīng)用于芯片封裝等方向。