金微納米陣列及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810521401.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108754465B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN108754465B 申請公布日 2021-08-31
分類號 C23C18/44;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張翊 申請（專利權(quán)）人 深圳市中科先見醫(yī)療科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 武玉琴;冷文燕
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道青春路啟迪協(xié)信科技園產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心3樓301-10
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種金微納米陣列制備方法，所述微納陣列的表面設(shè)置有金微納米結(jié)構(gòu)修飾層。該微納陣列以金微納米結(jié)構(gòu)為表面修飾層，修飾層與基底的結(jié)合力強(qiáng)，不容易脫落導(dǎo)致電極失效，并且修飾后的基質(zhì)表面積極大地增加，其化學(xué)活性顯著增加，其在催化、光學(xué)以及電學(xué)方面顯著提高，使其在微電子、新能源、化工等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。所述方法包括：提供或制備化學(xué)沉積溶液，所述化學(xué)沉積溶液中含有金鹽溶液和弱還原劑；和將基質(zhì)置于所述化學(xué)沉積溶液中，在基質(zhì)表面形成金微納米陣列。