一種碳硅陶瓷靶材的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010234099.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111320478B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN111320478B 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類(lèi)號(hào) C04B35/575（2006.01）I;C04B35/573（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I;C04B35/645（2006.01）I;C04B35/65（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I 分類(lèi) 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 白雪;劉宇陽(yáng);王星奇;楊磊;桂濤;王星明;儲(chǔ)茂友;韓滄 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 有研資源環(huán)境技術(shù)研究院（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 101407北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)興科東大街11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳硅陶瓷靶材的制備方法。該制備方法包括以下步驟：（1）根據(jù)要制備的靶材的碳硅比，稱(chēng)量石墨粉體、單質(zhì)硅粉體、SiC粉體，其中單質(zhì)硅粉體占三者總量的5at％?15at％；（2）將石墨粉體與單質(zhì)硅粉體采用臥軸球磨法破碎和混合，得到碳硅預(yù)球磨粉體；（3）在碳硅預(yù)球磨粉體中添加已稱(chēng)量好的SiC粉體，并置于臥軸球磨罐內(nèi)球磨混合2小時(shí)，得到復(fù)合原料粉體；（4）將復(fù)合原料粉體篩分后，裝入石墨模具中，將模具放在熱壓爐中，抽真空＜500pa時(shí)充入氬氣，采用前段快速升溫、中段液相燒結(jié)和高溫氬氣保護(hù)燒結(jié)；（5）冷卻得到碳硅陶瓷靶材坯料，經(jīng)加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本發(fā)明制備的碳硅陶瓷靶材的相對(duì)密度大于90％，硅摻雜含量誤差+/?1at％，電阻率低于0.05Ω·cm，適用于濺射制備DLC薄膜。