一種GaN基HEMT器件及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210148255.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114664938A 公開（公告）日 2022-06-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN114664938A 申請(qǐng)公布日 2022-06-24
分類號(hào) H01L29/45（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁旭;于國(guó)浩;趙德勝;張寶順 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 528216廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)科教路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基HEMT器件及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明所述制備方法通過(guò)在GaN材料中注入n型離子并結(jié)合激活保護(hù)層進(jìn)行高溫激活，形成了高質(zhì)量低電阻的歐姆接觸，實(shí)現(xiàn)了低溫歐姆制備工藝。同時(shí)，本發(fā)明所述金屬的退火溫度低，滿足場(chǎng)板的制作工藝，進(jìn)而可以通過(guò)一次金屬淀積形成源極、漏極和漏場(chǎng)板，克服了現(xiàn)有GaN基HEMT器件歐姆接觸電阻較大以及工藝復(fù)雜的缺陷/不足，具有廣泛的應(yīng)用前景。