AlGaN基紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210184601.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114566574A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114566574A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-31 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉銳森;孫錢(qián);黃應(yīng)南;楊勇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 528000廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)科教路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種AlGaN基紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述AlGaN基紫外LED外延結(jié)構(gòu)包括沿一指定方向依次設(shè)置的N型AlbGa1?bN層、多量子阱有源區(qū)、P型AlcGa1?cN電子阻擋層和P型GaN接觸層；所述多量子阱有源區(qū)包括交替生長(zhǎng)的多個(gè)AlxGa1?xN量子阱層和多個(gè)AlyGa1?yN量子壘層，其中在所述指定方向上的最后一個(gè)AlxGa1?xN量子阱層摻雜有Si，其中0＜（x、y）≤1。較之現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)AlGaN基紫外LED外延結(jié)構(gòu)的光輸出功率有顯著提升。 |
