一種P重摻型硅片噴砂前預處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911081149.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110957207A 公開（公告）日 2020-04-03
申請公布號 CN110957207A 申請公布日 2020-04-03
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王建華;賀賢漢;丁曉健;吳邊 申請（專利權）人 上海中欣晶圓半導體科技有限公司
代理機構 上海申浩律師事務所 代理人 上海申和熱磁電子有限公司
地址 200444上海市寶山區(qū)寶山城市工業(yè)園區(qū)山連路181號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種P重摻型硅片噴砂前預處理方法，包括A混酸腐蝕：將P重摻型硅片置于含有HF以及HNO3的藥液槽中，在40～50℃條件下進行酸性蝕刻40～80s，而后用去離子水清洗干凈；B堿洗：將經過步驟A處理后的硅片安裝在堿洗槽中的凸輪機構上，轉速為60～80RPM；該堿洗槽中盛裝有體積分數(shù)為5～10％的強堿溶液，清洗溫度為40～60℃，清洗時間為3～9min。本發(fā)明通過在硅片背面噴砂處理前增加強堿洗步驟，在后面的噴砂處理工序中有效避免了印記殘留的產生，通過實際生產驗證，生產報廢率降低至零。??