一種提高硅片最終清洗金屬程度的方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810981196.5 申請日 -
公開（公告）號 CN109326505B 公開（公告）日 2021-12-03
申請公布號 CN109326505B 申請公布日 2021-12-03
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杉原一男;洪漪;賀賢漢;趙劍鋒 申請（專利權(quán)）人 上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 代理人 顧蘭芳
地址 200444 上海市寶山區(qū)山連路181號1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種提高硅片最終清洗金屬程度的方法，包括：步驟一，在氫氟酸藥液槽加入純水進行充分的循環(huán)20分鐘；步驟二，將顆粒過濾器的顆粒過濾芯和金屬過濾器的金屬過濾芯都充分浸潤在異丙醇中；步驟三，先安裝顆粒過濾芯，然后在氫氟酸藥液槽加滿純水，循環(huán)至少三次，每次循環(huán)20分鐘；步驟四，再安裝金屬過濾芯，然后在氫氟酸藥液槽加滿純水，循環(huán)至少三次，每次循環(huán)20分鐘；步驟五，洗凈機正常添加藥液后，清洗模擬片3小時后重新更換藥液，再清洗模擬片，使用電感耦合等離子質(zhì)譜儀測試模擬片的金屬污染情況。