一種單片式硅片使用有機(jī)酸的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110849318.7 申請日 -
公開(公告)號 CN113658851A 公開(公告)日 2021-11-16
申請公布號 CN113658851A 申請公布日 2021-11-16
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杉原一男;賀賢漢;趙劍鋒 申請(專利權(quán))人 上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 200444上海市寶山區(qū)山連路181號1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單片式硅片使用有機(jī)酸的清洗方法,包括如下步驟:制定噴射清洗順序:清洗順序一、的的清洗順序二、的DHF和0.1~3.0vol%的清洗方式為:僅重復(fù)清洗順序一,僅重復(fù)清洗順序二或者使用清洗順序一和二的組合方式;利用了有機(jī)酸的鰲合效應(yīng),確立了單片式清洗機(jī)使用有機(jī)酸的最佳清洗方法,可以實(shí)現(xiàn)硅片表面金屬離子“防止再附著”的目的,實(shí)現(xiàn)提高拋光硅片的金屬水平從1E9至1E8Atoms/cm。