一種檢測拋光硅片表面淺在缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910922971.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110676155B 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN110676155B 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L21/02;H01L21/66 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李厚;賀賢漢;尚散散 申請（專利權(quán)）人 上海中欣晶圓半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申浩律師事務所 代理人 趙建敏
地址 200444 上海市寶山區(qū)山連路181號1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種檢測拋光硅片表面淺在缺陷的方法，采用熒光燈作為燈源，所使用的熒光燈燈源有一定的透射力，與人眼呈45?60度下的反射光源，可有效的辨識出一些表面淺在的缺陷，從而防止漏檢的發(fā)生，為客戶提供更高質(zhì)量的拋光硅片；由于熒光燈源為冷色調(diào)燈源，所以該光源對人體眼睛幾乎沒有傷害；在現(xiàn)有的暗室條件下增設熒光燈源即可進行操作，簡單培訓，即可上崗檢測；可謂簡單、安全、有效。