懸浮壓接功率半導體模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922036828.3 申請日 -
公開（公告）號 CN211788998U 公開（公告）日 2020-10-27
申請公布號 CN211788998U 申請公布日 2020-10-27
分類號 H01L25/07(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊成標;董明;劉婧;劉鵬;肖彥;李新安;段彬彬;朱玉德 申請（專利權）人 湖北臺基半導體股份有限公司
代理機構 襄陽嘉琛知識產權事務所 代理人 湖北臺基半導體股份有限公司
地址 441021湖北省襄陽市襄城區(qū)勝利街162號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型的名稱為懸浮壓接功率半導體模塊。屬于高壓功率半導體器件技術領域。它主要是解決現有芯片和電極片通過焊料高溫焊接而存在焊接應力和焊接空洞的問題。它的主要特征是：包括模塊底板，絕緣導熱片，金屬A、K電極，上、下鉬圓片，功率半導體芯片，門極組件，模塊塑料外殼；上鉬圓片中心設有安裝孔；門極引線組件卡入該安裝孔內定位；金屬A電極、下鉬圓片、功率半導體芯片、上鉬圓片、門極引線組件和金屬K電極依次為壓接接觸。本實用新型具有可消除芯片高溫焊接產生的形變和應力，能滿足客戶對模塊產品提出的高電壓、大電流要求的特點，主要用于高壓軟啟動電源、高壓靜止無功補償電源、高壓脈沖功率電源、高壓直流輸電等領域的高壓半導體器件。??