一種高壓快軟恢復二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910439983.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110164980A 公開（公告）日 2019-08-23
申請公布號 CN110164980A 申請公布日 2019-08-23
分類號 H01L29/861;H01L29/167;H01L29/06;H01L23/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張橋;顏家圣;周霖;黃智;劉鵬;肖彥;劉磊;呂晨襄 申請（專利權）人 湖北臺基半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 襄陽嘉琛知識產(chǎn)權事務所 代理人 湖北臺基半導體股份有限公司
地址 441021 湖北省襄陽市襄城區(qū)勝利街162號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明名稱為一種高壓快軟恢復二極管。屬于高壓半導體二極管設計和制造技術領域。它主要是解決現(xiàn)有高壓二極管不能滿足高壓4000V以上高壓半導體器件反向續(xù)流要求的問題。它的主要特征是：所述半導體晶片由陽極P+塊或陽極P+區(qū)、陽極P區(qū)、長基區(qū)N、陰極N+環(huán)、陰極P+塊和陰極N+塊組成；所述陽極P+塊或陽極P+區(qū)分布在陽極P區(qū)表面，陽極P+塊或陽極P+區(qū)與陽極P+塊或陽極P+區(qū)之間的陽極P區(qū)構(gòu)成陽極區(qū)；所述陰極N+塊在長基區(qū)N表面間隔分布，陰極P+塊位于陰極N+塊之間，陰極P+塊與陰極N+塊之間由長基區(qū)N隔離。本發(fā)明具有更高的反向阻斷電壓、更短的反向恢復時間和改善二極管軟度因子的特點，主要應用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反向續(xù)流。