一種高頻低壓降功率半導(dǎo)體模塊

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510036759.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105448900B 公開(kāi)（公告）日 2019-02-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN105448900B 申請(qǐng)公布日 2019-02-26
分類號(hào) H01L25/07 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉婧;楊成標(biāo);孫偉;李新安;邢雁;王維;孫婭男;周霖 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 襄陽(yáng)嘉琛知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
地址 441021 湖北省襄樊市襄城區(qū)勝利街162號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的名稱為一種高頻低壓降功率半導(dǎo)體模塊。屬于功率半導(dǎo)體模塊制造技術(shù)領(lǐng)域。它主要是解決現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體模塊關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)、壓降大的問(wèn)題。它的主要特征是：包括散熱底板、外殼絕緣導(dǎo)熱片、電極、芯片、門(mén)極引線、輔助陰極、緊固件、緊固螺釘螺母、門(mén)極塊、門(mén)極片以及內(nèi)填充的硅凝膠層和環(huán)氧層或硅凝橡膠層和環(huán)氧層；芯片為高頻可控硅芯片或者高頻整流管芯片；電極與芯片陰極面接觸的部分為凸起的臺(tái)面。本發(fā)明具有使功率半導(dǎo)體模塊關(guān)斷時(shí)間短且壓降小的特點(diǎn)，能夠滿足靜電除塵設(shè)備、高頻逆變器、高頻感應(yīng)加熱、斬波器等設(shè)備中對(duì)功率半導(dǎo)體模塊的需求，主要用于有高頻整流和逆變要求的電力電子裝置中的功率半導(dǎo)體模塊。