一種循環(huán)化學氣相沉積高純鉭的制備方法及其應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210288168.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114561628A 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN114561628A 申請公布日 2022-05-31
分類號 C23C16/01（2006.01）I;C23C16/14（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;C22B34/24（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 譚成文;于曉東;劉麗君;李迅 申請（專利權）人 海樸精密材料（蘇州）有限責任公司
代理機構 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 215212江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)臨滬大道北側1508號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種循環(huán)化學氣相沉積高純鉭的制備方法及其應用，所述制備方法包括：以純度≥99.95％的TaF5為原料，高純H2為還原氣體，采用循環(huán)化學氣相沉積在基體上沉積鉭，經(jīng)去除基體，得到高純鉭；循環(huán)化學氣相沉積包括采用至少三套蒸發(fā)冷凝一體化裝置進行循環(huán)氣相沉積，TaF5蒸發(fā)室溫度為100℃～200℃，TaF5和H2的摩爾比為0.01～0.3，沉積溫度為800～1400℃，TaF5摩爾分數(shù)為0.01～0.5。本發(fā)明方法能夠使化學氣相沉積過程中高價值的TaF5原料利用率達95％以上，且制備的高純鉭的純度6N以上，致密度高且沿生長方向微觀組織均勻，而且能源利用率高，在半導體制造領域有著廣泛的應用前景。